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          新啟航半導體有限公司


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          05
          2026
          -
          06
          MEMS梳齒結構線寬齒距失準,白光干涉儀校準光刻制程修正尺寸...
          MEMS 慣性器件性能高度依賴梳齒電容尺寸精度,光刻量產受曝光能量波動、晶圓平整度、掩模形變、顯影速率差異影響,普遍產生梳齒線寬偏移、齒距不均、側壁傾斜等尺寸失準...
          MEMS梳齒結構線寬齒距失準,白光干涉儀校準光刻制程修正尺寸偏差
          04
          2026
          -
          06
          USI 白光掃描:透明金屬疊層結構微納形貌失真原理溯源(US...
          本文依據白光干涉儀官方技術手冊、半導體微納檢測國標規范及《光學學報》《激光與光電子學進展》公開核心研究成果,聚焦半導體透明介質/金屬基底疊層微納結構,溯源USI通...
          USI 白光掃描:透明金屬疊層結構微納形貌失真原理溯源(USI White Light Scanning: Traceability of Micro-Nano Morphology Distortion Principle for Transparent-Metal Stack Structure)
          04
          2026
          -
          06
          基于光學3D輪廓儀深度標定優化光伏激光劃線與光電轉換效率研究
          摘要光伏、鈣鈦礦等薄膜光電器件激光劃線深度偏差會誘發基底損傷、薄膜殘留、斷路等缺陷,直接制約器件光電轉換效率提升。傳統二維測量、人工抽檢無法實現微納劃線深度精準質...
          基于光學3D輪廓儀深度標定優化光伏激光劃線與光電轉換效率研究
          04
          2026
          -
          06
          白光干涉儀(White Light Interferomet...
          一、引言超薄薄膜、超光滑樣品是半導體晶圓、精密光學元件、高能激光器件的核心基礎材料,其表面存在的納米級微劃痕、局部凹陷、顆粒凸起、薄膜厚度不均等微觀工藝缺陷,會直...
          白光干涉儀(White Light Interferometer, WLI)大視場(Large Field-of-View)測量在超薄薄膜工藝缺陷檢測中的應用
          • 共100頁
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